刘昊
,
沈春英
,
卢正东
,
丘泰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11060
研究了(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MCT-CLT)体系陶瓷的微波介电性能. 目的是通过(Ca0.61La0.26)TiO3 (CLT)协调(Mg0.9Co0.1)TiO3(MCT)陶瓷的谐振频率温度系数. 实验发现, 烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著, 当烧结温度为1300℃时, 可以获得良好的致密度, 当烧结温度超过1300℃时, 陶瓷致密度和介电性能下降. 此外, 随着CLT含量的增加, 材料的介电常数增大, 品质因数减小. 当CLT含量为13%, 烧结温度为1300℃, 保温2h, (MCCLT)陶瓷具有优良微波介电性能, εr =22.4, Q×f =35000 GHz, τf = -8.7×10-6/℃, 从而达到实用要求.
关键词:
(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3陶瓷
,
microwave dielectric ceramics
,
dielectric constant
,
quality factor
,
temperature stable resonant frequency
秦文峰
,
熊杰
,
李言荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00247
利用脉冲激光沉积法在LaNiO3 /LaAlO3 (001)基片上生长了Ba 0.6 Sr 0.4 TiO3（BST）和Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3（BZT）单层薄膜,以及Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3/ Ba 0.6 Sr 0.4 TiO3 / Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3（BZT/BST/BZT）多层薄膜.X射线衍射（XRD）分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的（00l）取向.原子力显微镜 （AFM）显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多层薄膜在微波应用中具有很大的潜力.
关键词:
BST/BZT/BST
,
thin films
,
dielectric constant
,
leakage current characteristics
张海龙
,
李敬锋
,
张波萍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00448
以PZT和纯Ag粉末为原料, 在1200℃下用普通粉末烧结工艺制备了PZT/Ag复合材料. 尽管烧结温度超过了Ag的熔点, Ag粉末并未氧化, 也未与PZT相中的Pb发生反应形成合金, 而是以单质Ag的形式弥散分布在PZT基体中, 并且PZT/Ag界面结合良好, 同时发现有微量的Ag替代Pb进入了PZT的晶格位置. 在015vol% Ag成分范围内研究了PZT/Ag功能复合材料的介电性能, 发现其介电常数\varepsilon_ r随Ag含量的变化表现为先降后升(临界成分点: 1vol% Ag)的趋势, 并不符合用于预测介电体中添加导电第二相引起介电常数增加的经典Maxwell方程. 在钙钛矿结构A位离子取代和渗流效应的理论基础上解释了上述介电常数的异常变化, 认为是由于在低成分范围内, Ag+取代Pb2+降低介电常数εr并起主导作用; 随着Ag含量的增加, Ag第二相颗粒之间建立的有效介电场增加了介电常数并逐渐起主导作用.
关键词:
PZT/Ag
,
composite
,
dielectric constant
陈继超
,
刘正堂
,
冯丽萍
,
谭婷婷
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了MoS2电子结构、振动和介电性质,得到了MoS2能带结构、态密度、介电谱和红外反射谱.研究表明,MoS2为间接带隙半导体.介电张量在垂直和平行于c轴方向表现出强烈的各向异性.电子屏蔽作用对介电常数贡献较强,晶格振动对介电常数贡献较弱.在300～500 cm-1波段,由于红外光学模的存在,材料与电磁波存在较强的相互作用,透波性能较差.
关键词:
MoS2
,
第一性原理
,
电子结构
,
振动
,
介电常数
刘珊珊
,
赵玉珍
,
王希林
,
周和平
稀有金属
研究了CaF2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响.采用传统烧结工艺制备了CaF2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究.XRD结果显示,CaF2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3％(质量分数)时,基体中出现第二相BaCaTiO4.添加少量CaF2(0.5％)可明显减小晶粒尺寸,随掺杂量继续增加,晶粒尺寸变化不明显.CaF2掺杂降低了BSTO陶瓷的介电常数和介电可调性,减小了其介电损耗,提高了材料的综合使用性能.
关键词:
钛酸锶钡
,
介电常数
,
介电可调性
,
CaF2掺杂
陈宁
,
高祀建
,
霍冀川
,
王海滨
,
朱永昌
人工晶体学报
以磷酸铬铝粘接剂、熔融石英、氢氧化铝为原料制备莫来石原位增强磷酸铬铝复相陶瓷,采用热分析、XRD、SEM、EDS、矢量网络分析测试等手段,研究不同温度对烧结体物相、显微结构、机械及介电性能的影响,并探讨莫来石原位生长和增强机理.结果表明:在1250 ～ 1500℃范围内,随温度升高,材料的致密度、抗弯强度、维氏硬度和介电常数均升高.1500℃煅烧可得致密的原位合成莫来石/磷酸铬铝复相陶瓷,材料晶粒发育比较完善,短棒状莫来石和球状磷酸铬铝晶粒清晰可见,基体致密程度受游离SiO2控制.复合材料介电常数、弯曲强度、维氏硬度分别达到3.7、117 MPa和5.3 GPa.当煅烧至1600℃时,晶粒快速长大,材料的强度降低.磷酸铬铝与莫来石颗粒间通过弥散强化、细晶强化、晶粒拔出等机制对复合材料起到增强的作用.
关键词:
莫来石
,
磷酸铬铝
,
原位
,
生长
,
介电常数
,
弯曲强度
杨金凤
,
黄存新
,
孙军
,
徐海霞
,
张玲
,
许京军
人工晶体学报
采用碳酸锂粉末和五氧化二铌粉末通过烧结制备了氧化锂含量为47.84mol％～50.50mol％的铌酸锂多晶粉末,并烧结为陶瓷片样品.然后利用精密数字电容电桥测量了这些样品的介电常数随温度的变化,得到了铌酸锂的居里温度Tc与锂含量的关系.
关键词:
铌酸锂
,
介电常数
,
居里温度
,
锂含量
郑文建
,
姚正军
,
周金堂
高分子材料科学与工程
通过Hummers法得到氧化石墨,超声剥离得到氧化石墨烯(GO),然后通过1-(2-氨基乙基)-3-甲基咪唑溴盐与氧化石墨烯反应得到改性氧化石墨烯(WGO),最后用原位聚合法将WGO与N,N-二氨基二苯甲烷型双马来酰亚胺(BMI)、O,O-二烯丙基双酚A(BA)的共聚物复合制备出BMI/BA/WGO复合材料.采用扫描电镜和原子力显微镜等测试方法对复合材料进行了表征,并对其介电性能进行了研究.结果表明,制备了性能优异的WGO,且WGO含量的增加提高了复合材料的介电常数和介电损耗,在WGO的质量分数为4.13％左右时出现渗流效应,BMI/BA/WGO复合材料的介电常数突增.1-(2-氨基乙基)-3-甲基咪唑溴盐可以明显改善GO在复合材料中的分散性,同时可提高材料的介电常数.
关键词:
双马来酰亚胺
,
氧化石墨烯
,
介电常数
